如影随形

半导体设备的全国生产导致了重要的拐点：今年

发布时间：2025-07-27 12:45编辑：BET356官网在线登录浏览（165）

为了减少外国团队的依赖性，Changjiang Storage Technology Co.，Ltd。（YMTC）在促进“由国家生产”的制造设备促进制造设备方面取得了巨大进步。第一条国家生产线将在2025年下半年引入证据的生产。2016年，Youngze存储被正式记录并与新技术Wuhan Donghu开发区进行了定居，重点介绍了Flash Nand 3D Memory Chips的设计，制造和销售。在2022年底，长江存储在美国商务部实体列表中。即使没有美国瓦夫夫的先进制造团队，它也基于现有工具来维护NAND Flash产品的高级产品线的开发和制造，从而积极促进能力扩张计划。目前，杨氏存储的生产能力为每月近130，000辆，约占世界生产能力的8％。到2025，我们已经达到了约150,000瓦夫（WSPM）的每月生产能力，并在2026年底努力占全球15％的Flash NAND记忆供应。在技术层面上，扬格兹的内存也取得了重大进步。它的NAFTA为232层（3层单元）芯片X4-9070通过双层堆叠达到294层的等效密度，界面速度为3600mt/s。 3D QLC X4-6080于2025年底推出，并继续有294层的堆栈，其中2TB 3D TLC X5-9080和3D QLC X5-6080承认4800 mt/s高速。下一个代理体系结构是300层电池，因此，即使每个晶圆的位输出增加，过程时间很长，并且芯片的数量减少，能量的总增长也将保持到位。尽管有能力为国际设备供应商（例如ASML，Applied Materials和KLA）购买新设备的能力E记忆有限，计划引入高规模自我开发的国内技术和设备，以支持超过一般市场10％至15％的增长目标。 Yangzememory使用链条堆叠技术避免限制并移至100％的设备。这是美国规范堆叠技术设备的出口超过128个堆叠层的措施，这也是中国芯片设备独立性的重要试金石。如果国家生产线的测试生产成功，则预计双重位的生产将有助于Zeliber的年轻存储达到其市场份额目标。世界上更高的记忆力是三星，SK Hynix和Mychron。到2025年，这三家公司的生产能力预测分别为660,000、500,000和300,000。如果长江存储可以将月产增加到200,000，您有权影响全球NAND闪存价格。但是，是清楚的是，从测试线到大规模生产，夜间尚未实现。家庭设备的长期稳定性，不同设备和成本管理功能之间过程的兼容性是重要的问题，必须解决至少3 - 5年的抛光周期，从稳定的性能到优化成本和产品的迭代。尽管中国芯片制造商正在进步，但100％的设备位置远远超出了中国芯片制造商现在可以达到实现范围的分析师的意见：扬格兹储藏室在中国为定位半导体团队的努力中脱颖而出。摩根士丹利（Morgan Stanley）的估计采用率为45％，远高于全国平均水平和其他重要的全国晶圆（中国最大的Faba Faraa使用Jinchen Fab达到22％，而Ringan Fab的18％），但45％的采用率仍然很低至100％。生产Chang Jang Storage的全国生产线中，是全球竞争中中国半导体行业的“ Paradime Innovation”。即使延迟了单点技术，工业链中的一般进步仍然通过设备，过程和建筑系统的协作来证明。首先国家生产线的拉力非常重要。集成电路的生产涉及中央设备和其他援助，该项目包括九个模块类别。全国生产线的提取是所有链接的进步，而不是单个链接。我国半导体设备的全国生产率远低于中国市场的比例。 2024年，粘合剂消除设备，清洁装置，雕刻设备和热处理设备的国内生产率超过30％。 PVD/CVD/ALD的国内生产率，CMP，粘合涂层，离子IMP易发，体积检测和光刻摄影量低于20％，5-20％，30-40％，5-10％，10-20％，1-10％和0-1％。更值得注意的是，根据TechInsights的报告，Changjiang Storage Rivalsara的最后一个“ Xtacking 4.0”芯片限制了设备并减少生产差距。长江存储将混合绑定技术应用于4年前的3D NAND制造技术的技术的优势，称其为“ Xthacking”。在最初的几天，Changjiang Storage通过与Xperi签署许可协议，并在该领域建立了独立专利的积分系统，从而获得了混合链接技术的原始专利。目前，这是混合结合技术中的重要全球地位。首先应用3D NAND混合耦合的长江存储在相关技术中具有大量的专利积累。迄今为止，长江存储的专利申请总数已超过10,000。虽然长江的近年来，Torage的开发受到各种外部限制，存储密度在高度上成功提高，与行业的主要水平相当，在商业产品中达到了最高的垂直门密度，并且变化存储已成为全球闪光灯NAND内存市场中的强大竞争对手。这样做的关键是导致Changjiang的存储以求助于CBA的体系结构，并实现稳定的技术收益率来进行混合耦合。这就是一切。在传统的NAND 3D架构中，外围电路约占芯片区域的20-30％。随着3D NAND技术在128层以上积累，占据外围电路的芯片区域可以达到50％以上，从而导致存储密度降低。同时，此方法最多可容纳300层NAND。否则，施加到施加的下回路的压力可能会损坏电路。要解决这个问题，StoragecHangjiang在2018年推出了一项新的Xthacking技术，将3D NAND补丁层制造的高度重新分配到CBA体系结构（CMOS Linked Matrix）。 NAND和CMOS电路晶片可以在各种生产线上制造，并且可以使用每个优化的过程节点单独制造。这不仅缩短了生产周期，而且还降低了制造的复杂性和成本。对于NAND 3D制造商而言，混合链接是如果您想开发具有400多层的NAND堆栈，则必须面对的中心技术。 SK Hynix和Micron在2020年和2022年获得了Xperi Hybrid Binding Technology许可证，但由于对CBA体系结构的变化缓慢，如三星和SK Hynix等主要制造商将不可避免地会在CBA 3D NAND建筑上投资并面对Yangtze的存储时，将面临专利失败。此外，许多变化使制造成本高于STO长远通过混合联盟的长江的愤怒生产成本。记忆芯片行业已经是一个成熟的市场，三星，SK Hynix和Micron等巨人都占据了大部分市场份额。与他们相比，Chang Jang的存储是一颗后起之秀。最重要的是，如何更新中央技术后，如何提高生产能力，甚至工业巨头也已成为长CANG存储的重要问题。这意味着可以重写行业的结构。这也很重要。